系列提供完整的套装, 套装包括离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动化操控装置等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 吸附力等.射频离子源射频离子源 RFICP 系列技术指标:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射 流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子冲洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子溅射镀膜上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边射频离子源上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对使用在半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内射频离子源 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研究开发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子冲洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联系方式 :上海伯东 : 罗先生
伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322
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