KRI 霍尔离子源 eH 系列美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH 系列美国 KRI 霍尔离子源 eH 系列紧凑设计, 高电流低能量宽束型离子源, 提供原子等级的细微加工能力, 霍尔离子源 eH 能有效以纳米精度来处理薄膜及表面, 多种型号满足科研及工业, 半导体应用. 霍尔离子源高电流提升镀膜沉积速率, 低能量降低离子轰击损害表面, 宽束设计有效提升吞吐量和覆盖沉积区. 总体易操作, 易维护. 霍尔离子源 eH 提供一套完整的方案包括离子源, 电子中和器, 电源供应器, 流量控制器 MFC 等等能直接整合在各种真空设备中, 例如镀膜机, load lock, 溅射系统, 卷绕镀膜机等.霍尔离子源美国 KRI 霍尔离子源 eH 特性无栅很高电流低能量发散光束 >45可快速替换阳极模块可选 Cathode / Neutralize 中和器美国 KRI 霍尔离子源 eH 主要应用辅助镀膜 IBAD溅镀&蒸镀 PC表面改性、激活 SM沉积 (DD)离子蚀刻 LIBE光学镀膜Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)例如1. 离子辅助镀膜及电子枪蒸镀2. 线上式磁控溅射及蒸镀设备预冲洗3. 表层处理4. 表面硬化层镀膜5. 磁控溅射辅助镀膜7. 偏压离子束磁控溅射镀膜美国 KRI 霍尔离子源 Gridless eH霍尔离子源 eH 系列在售型号:型号eH400eH1000eH2000eH3000eH Linear中和器F or HCF or HCF or HCF or HCF阳极电压50-300 V50-300 V50-300 V50-250 V50-300 V离子束流5A10A10A20A按照实际使用散射角度>45>45>45>45>45气体流量2-25 sccm2-50 sccm2-75 sccm5-100 sccm按照实际使用本体高度3.0“4.0“4.0“6.0“按照实际使用直径3.7“5.7“5.7“9.7“按照实际使用水冷可选可选是可选按照实际使用F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 开发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子冲洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理. 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联系方法 :上海伯东 : 罗先生
伯东 : 王女士T: +86-21-5046-1322
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