KRi 射频离子源 RFICP 220KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 相同的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 的离子光学元件可以完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 800 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术指标:型号RFICP 220Discharge 阳极RF 射频离子束流>800 mA离子动能100-1200 V栅极直径20 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量10-40 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr长度30 cm直径41 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 220 应用范围：预冲洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联系方法 :上海伯东 : 罗先生
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